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參數資料
| 型號： | IRG4PF50WD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | IRG4PF50WD |
www.irf.com
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IRG4PF50WPbF
PD- 95230
04/30/04
Lead-Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PH30KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| IRG4PH30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| IRG4PH30K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| IRG4PH30KPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT |
| IRG4PH40KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PF50WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PG40FD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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