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參數資料
| 型號： | IRG4PG40MD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數： | 1/35頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PG40MD |
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Quarterly Reliability Report
for
T0247 / T0220 Products Manufactured at
IRGB
IGBT / CoPack
ISSUE.3.
October 1997
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF50WDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4PG40SD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40UD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH20 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| IRG4PH20K | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4PH20KD | 功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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