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參數資料
| 型號： | IRG4PH40SD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數： | 1/35頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PH40SD |
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Quarterly Reliability Report
for
T0247 / T0220 Products Manufactured at
IRGB
IGBT / CoPack
ISSUE.3.
October 1997
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGNC30FD2 | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4PH40U | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH40UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH40UD2 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PH40UD2-E | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PH40UD2-EP | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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