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參數資料
| 型號： | IRG4RC20FPBF |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
| 封裝： | LEAD FREE, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | IRG4RC20FPBF |
www.irf.com
1
IRG4RC20FPbF
PD- 95155
05/04/04
Lead-Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGDDN400M12 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRHF597130 | 6.7 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHF7110SCV | 3.5 A, 100 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHM57064SCS | 35 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| IRKH136-16D25 | 300 A, 1600 V, SCR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4RC20FTR | 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4RC20FTRL | 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4RC20FTRLPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ SINGLE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4RC20FTRPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4RC20FTRR | 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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