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參數資料
| 型號： | IRGAC40F |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 38A I(C) | TO-204AE |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第38A一（c）|至204AE |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | IRGAC40F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGAC40U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 31A I(C) | TO-204AE |
| IRGAC50F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-204AE |
| IRGAC50U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 41A I(C) | TO-204AE |
| IRGBC20FD2 | |
| IRGBC20KD2S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-252VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGB10B60KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB10B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB14C40L | 功能描述:IGBT IGNITION 430V 20A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRGB14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB15B60KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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