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參數資料
| 型號： | IRGB14C40L |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
| 中文描述： | IGBT的具有片上柵極發射極和柵極采集夾 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | IRGB14C40L |
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Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max
Unit
Condition
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 110°C
I
G
I
Gp
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T = 110°C
T
J
T
STG
V
ESD
I
L
Collector-to-Emitter Voltage
Clamped
V
R
G
= 1K
ohm
Continuous Collector Current
20
A
V
GE
= 5V
Continuous Collector Current
14
A
V
GE
= 5V
Continuous Gate Current
1
mA
Peak Gate Current
10
mA t
PK
= 1ms, f = 100Hz
Gate-to-Emitter Voltage
Clamped
V
Maximum Power Dissipation
125
W
Maximum Power Dissipation
54
W
Operating Junction and
- 40 to 175
°
C
Storage Temperature Range
- 40 to 175
°
C
Electrostatic Voltage
6
KV C = 100pF, R = 1.5K
ohm
Self-clamped Inductive Switching Current
11.5
A
L = 4.7mH, T = 25
°
C
Thermal Resistance
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
R
θ
JC
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.2
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
40
°
C/W
(PCB Mounted, Steady State)
Z
θ
JC
Transient Thermal Impedance, Juction-to-Case (Fig.11)
2342/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGSL14C40L | Ignition IGBT(點火線圈絕緣柵雙極型晶體管) |
| IRH7054 | 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
| IRH8054 | 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
| IRH7250SE | 200Volt, 0.10Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(200V, 0.10Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
| IRH8250 | LED, ULTRA BRIGHT GREEN T/H |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGB14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB15B60KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB15B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB20B60PD1 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT |
| IRGB20B60PD1PBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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