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參數(shù)資料
型號(hào): IRGPC30K
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大小: 146K
代理商: IRGPC30K
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5μS
Vce ic dt
90% Vge
+Vge
Eoff =
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
Qrr =
trr
tx
id dt
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
IRGPC30KD2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGPC30KD2 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)二極管的絕緣柵雙極型晶體管)
IRGPF50
IRGPF50F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGPH40K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 103A I(C) | TO-247AC
IRGPH40KD2
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參數(shù)描述
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