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參數資料
| 型號： | IRGRDN600M06 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 800A一（c） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 388K |
| 代理商： | IRGRDN600M06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGDDN600M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
| IRGDDN300K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 340A I(C) |
| IRGDDN300M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 560A I(C) |
| IRGDDN400K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 520A I(C) |
| IRGDDN400M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGS 14C40LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
| IRGS10B60KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGS10B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGS10B60KDPBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRGS10B60KDTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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