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參數資料
| 型號： | IRGTDN100M12 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 200安培我（丙） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 387K |
| 代理商： | IRGTDN100M12 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGTDN150K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C) |
| IRGTDN150M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| IRGTDN150M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C) |
| IRGTDN200K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 260A I(C) |
| IRGTDN300K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 340A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGTI0100M12 | 功能描述:整流器 1200 Volt 100 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| IRGTI090U06 | 制造商:IR 功能描述:IRGTI090U06 |
| IRGVH50F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258AA |
| IRGVH50FD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258VAR |
| IRGVH50FU | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258VAR |
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