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參數(shù)資料
型號: IRHE7110
英文描述: 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
中文描述: 100V的100kRad高可靠性單個N -溝道工貿(mào)署在18硬化MOSFET的引腳LCC封裝
文件頁數(shù): 5/12頁
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代理商: IRHE7110
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHE7110
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During 1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 8a.
Gate Stress of
V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHE8110 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
IRHE9230 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC
IRHE93230 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC
IRHF53Z30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39
IRHF54034 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39
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參數(shù)描述
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