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參數資料
型號: IRHM58Z60
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五(巴西)直| 35A條(丁)|對254AA
文件頁數: 7/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商: IRHM58Z60
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM57064
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
25
50
75
100
125
150
0
250
500
750
1000
1250
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
.
相關PDF資料
PDF描述
IRHM7054D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR
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