- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360961 > IRHNA4064 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRHNA4064 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 75A條（丁）|貼片 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHNA4064 |
6
www.irf.com
IRHNB7064
Pre-Irradiation
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
GS
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA4160 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | SMT |
| IRHNA4260 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) | SMT |
| IRHNA53Z60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| IRHNA54Z60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| IRHNA57163SE | 130V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHNA4160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA4260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA4Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA4Z60SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA507064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 75A 3SMD-2 - Rail/Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。