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參數資料
| 型號： | IRHNA57260SE |
| 英文描述： | 200V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
| 中文描述： | 200伏100kRad高可靠性單N通道看到一貼片MOSFET的硬化- 2包 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHNA57260SE |
4
www.irf.com
IRHNB7064
Pre-Irradiation
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
75A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA57264SE | 250V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
| IRHNA5760SE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 55A I(D) | SMT |
| IRHNA57Z60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| IRHNA58Z60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| IRHNA597160 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 52A I(D) | SMT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHNA57260SED | 制造商:International Rectifier 功能描述:200V 43.000A HEXFET RADHARD - Bulk |
| IRHNA57260SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA57264SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 45A 3SMD-2 - Rail/Tube |
| IRHNA5760SE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 55A I(D) | SMT |
| IRHNA57Z60 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
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