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參數資料
型號: IRHNB7260
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D)
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直|第43A條(丁)
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 116K
代理商: IRHNB7260
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHNB7260
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
E
ID
19A
27A
43A
TOP
BOTTOM
Starting T , Junction Temperature( C)
相關PDF資料
PDF描述
IRHNB7264SE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 34A I(D) | SMT
IRHNB7360SE 400V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-3 package
IRHNB7Z60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT
IRHNB8064 60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package
IRHNB8260 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D)
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參數描述
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