- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360961 > IRHNB7Z60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRHNB7Z60 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（丁）|貼片 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | IRHNB7Z60 |
4
www.irf.com
IRHNB7260
Pre-Irradiation
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
12V
9.0V
7.0V
5.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
43A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNB8064 | 60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package |
| IRHNB8260 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) |
| IRHNB8Z60 | 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package |
| IRHNJ3230 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| IRHNJ4230 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHNB8064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNB8160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNB8260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNB8Z60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package |
| IRHNJ3130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。