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參數(shù)資料
型號: IRHNB8064
英文描述: 60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package
中文描述: 60V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿(mào)硬化的貼片MOSFET的- 3封裝
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商: IRHNB8064
4
www.irf.com
IRHNB7260
Pre-Irradiation
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
12V
9.0V
7.0V
5.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
43A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHNB8260 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D)
IRHNB8Z60 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package
IRHNJ3230 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT
IRHNJ4230 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT
IRHNJ57133SE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 130V V(BR)DSS | 20A I(D) | SMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRHNB8160 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHNB8260 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHNB8Z60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package
IRHNJ3130 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHNJ3130SCS 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk
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