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參數資料
型號: IRHNB8Z60
英文描述: 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-3 package
中文描述: 30V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿硬化的貼片MOSFET的- 3封裝
文件頁數: 7/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商: IRHNB8Z60
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHNB7260
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
E
ID
19A
27A
43A
TOP
BOTTOM
Starting T , Junction Temperature( C)
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PDF描述
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