- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360962 > IRHNJ4230 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRHNJ4230 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 9.4AI（四）|貼片 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ4230 |
www.irf.com
5
IRHNJ7230
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Pre-Irradiation
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
9.4A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ57133SE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 130V V(BR)DSS | 20A I(D) | SMT |
| IRHNJ57230SE | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRHNJ593230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | SMT |
| IRHNJ594130 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SMT |
| IRHNJ594230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | SMT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHNJ4230SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ4230SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ53034 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHNJ53034B | 制造商:International Rectifier 功能描述:60V 8.000A HEXFET RADHARD - Bulk |
| IRHNJ53130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。