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參數資料
| 型號： | IRHNJ594130 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）直| 12.5AI（四）|貼片 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ594130 |
www.irf.com
7
IRHNJ7230
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
4.2A
5.9A
9.4A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ594230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | SMT |
| IRHNJ597230 | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-0.5 package |
| IRHNJ598130 | -100V 1000kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-0.5 package |
| IRHNJ598230 | -200V 1000kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-0.5 package |
| IRHNJ7230 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHNJ594230 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | SMT |
| IRHNJ597034 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 21A 3SMD-0.5 - Rail/Tube |
| IRHNJ597034SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ597130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 12.5A 3SMD-0.5 - Rail/Tube |
| IRHNJ597130SCSA | 制造商:International Rectifier 功能描述:100V 12.500A HEXFET RADHARD - Bulk |
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