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參數資料
| 型號： | IRHNJ7430SE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 4.5AI（四）|貼片 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ7430SE |
www.irf.com
7
IRHNJ7230
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
4.2A
5.9A
9.4A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ8230 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| IRHNJ3230 | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表貼型抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHNJ4230 | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表貼型抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHNJ7230 | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表貼型抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHNJ8230 | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表貼型抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHNJ7430SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ8130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ8130SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ8130SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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