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參數資料
型號: IRHY57Z30CM
英文描述: 30V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
中文描述: 30V的100kRad高可靠性單N溝道MOSFET的工貿硬化在TO - 257AA封裝
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 119K
代理商: IRHY57Z30CM
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHY57034CM
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
.
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
8.0A
11.4A
18A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRHY58034CM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-257AA
IRHY58130CM 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
IRHY58230CM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-257AA
IRHY58Z30CM 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
IRHY593130CM TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | TO-257AA
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參數描述
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