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參數(shù)資料
型號(hào): IRHY593130CM
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | TO-257AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 100V的五(巴西)直| 12.5AI(四)|對(duì)257AA
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 119K
代理商: IRHY593130CM
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHY57034CM
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
.
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
8.0A
11.4A
18A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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