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參數(shù)資料
型號: IRKH250-06
英文描述: THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|600V V(RRM)|250A I(T)
中文描述: 晶閘管模塊|倍增|半CNTLD |陽性| 600V的五(無線資源管理)| 250A章吾(翻譯)
文件頁數(shù): 1/14頁
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代理商: IRKH250-06
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PDF描述
IRKH250-06N THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|600V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-08D20 THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-08D20N THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-08N THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-10 THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1KV V(RRM)|250A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRKH250-06N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|600V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-08 功能描述:SCR模塊 800 Volt 250 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKH250-08D20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-08D20N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKH250-08N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|800V V(RRM)|250A I(T)
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