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參數資料
型號: IRKH430-20
英文描述: 2000V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Diode in a Super MAGN-A-Pak package
中文描述: 2000V 430A倍增器電路積極相位控制晶閘管/在超級磁共振二極管阿- Pak封裝
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 98K
代理商: IRKH430-20
IRK.430.. Series
5
Bulletin I27400 rev. A 09/97
www.irf.com
Outline Table
All dimensions in millimeters (inches)
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
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Average On-state C urrent (A)
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Conduc tion Angle
IRK.430.. Series
R (DC) = 0.065 K/W
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DC
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120°
180°
Average On-state C urrent (A)
M
°
Conduction Period
IRK.430.. Series
R (DC ) = 0.065 K/W
相關PDF資料
PDF描述
IRKL430-18 1800V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Diode in a Super MAGN-A-Pak package
IRKT430-16 1600V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Thyristor in a Super MAGN-A-Pak package
IRKH430-16 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓16V,快速H結構絕緣柵型雙極型晶體管)
IRKH430-18 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓18V,H結構快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRKH430-20 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓20V,H結構快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRKH500-14 功能描述:SCR模塊 1400 Volt 500 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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