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參數(shù)資料
| 型號： | IRKH430-20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓20V,H結構快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（額定電壓20V的，?結構快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | IRKH430-20 |
IRK.430.. Series
6
Bulletin I27400 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 7 - On-state Power Loss Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
RMS Limit
C onduction Angle
180
°
120°
90°
60°
30°
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.430.. Series
Per J unction
T = 130°C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
DC
180
°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
Conduction Period
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.430.. Series
Per Junction
T = 130°C
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
1
10
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle C urrent Pulses (N)
P
Initial T = 130
°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
ARated V Applied Following Surge.
RRM
IRK.430.. Series
Per J unc tion
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Ma ximum Non Repetitive Surge C urrent
V ersus Pulse Train Duration. Control
Of C onduction May Not Be Maintained.
Initial T = 130
°C
No Voltage Reapplied
Rated V Reapplied
IRK.430.. Series
Per Junction
20
40
60
80
100
120
Maximum Allowable Ambient Temperature (
°C)
R =00 /W DlaR
tS
00 /W
012K/W
016K/W
02K/W
0.3 K/W
0.4 K/W
0.6 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
600
700
180
°
120°
90°
60°
30°
Total RMS Output Current (A)
M
C onduction Angle
IRK.430.. Series
Per Module
T = 130°C
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PDF描述 |
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