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參數資料
| 型號： | IRKL430-20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓20V,L結構快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（額定電壓20V的報結構快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | IRKL430-20 |
IRK.430.. Series
6
Bulletin I27400 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 7 - On-state Power Loss Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
RMS Limit
C onduction Angle
180
°
120°
90°
60°
30°
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.430.. Series
Per J unction
T = 130°C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
DC
180
°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
Conduction Period
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.430.. Series
Per Junction
T = 130°C
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
1
10
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle C urrent Pulses (N)
P
Initial T = 130
°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
ARated V Applied Following Surge.
RRM
IRK.430.. Series
Per J unc tion
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Ma ximum Non Repetitive Surge C urrent
V ersus Pulse Train Duration. Control
Of C onduction May Not Be Maintained.
Initial T = 130
°C
No Voltage Reapplied
Rated V Reapplied
IRK.430.. Series
Per Junction
20
40
60
80
100
120
Maximum Allowable Ambient Temperature (
°C)
R =00 /W DlaR
tS
00 /W
012K/W
016K/W
02K/W
0.3 K/W
0.4 K/W
0.6 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
600
700
180
°
120°
90°
60°
30°
Total RMS Output Current (A)
M
C onduction Angle
IRK.430.. Series
Per Module
T = 130°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKT430-16 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓16V,快速T結構絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRKT430-18 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓18V,T結構快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRKT430-20 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓20V,T結構快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRKH430-18 | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.8KV V(RRM)|430A I(T) |
| IRKL430-16 | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.6KV V(RRM)|430A I(T) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRKL500-08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-12 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-14 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-16 | 功能描述:SCR模塊 1600 Volt 500 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKL56/04A | 功能描述:SCR DBL HISCR 400V 60A ADDAPAK RoHS:否 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結構:串聯 - SCR/二極管 SCR 數目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態 (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態 (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
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