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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRKLF200-12HJN |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T) |
| 中文描述： | 晶閘管模塊|倍增|半CNTLD |負(fù)| 1.2KV五（無(wú)線(xiàn)資源管理）| 200安培我（翻譯） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 332K |
| 代理商： | IRKLF200-12HJN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKLF200-12HK | 1200V Doubler Circuit Negative Control Inverter Thyristor/Diode in a MAGN-A-Pak package |
| IRKLF200-12HKN | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRKLF200-12HK | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKLF200-12HKN | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T) |
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