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參數資料
型號: IRKT250-08D20N
英文描述: THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|250A I(T)
中文描述: 晶閘管模塊|可控硅倍增器| 800V的五(無線資源管理)| 250A章吾(翻譯)
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代理商: IRKT250-08D20N
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IRKT250-08N THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-10 THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-10N THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-12D20N THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-12N THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|250A I(T)
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參數描述
IRKT250-08N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-10N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT25012 制造商:IR 功能描述:IRKT250-12
IRKT250-12 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 250 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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