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參數資料
型號: IRKTF101-10FK
英文描述: THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|105A I(T)
中文描述: 晶閘管模塊|可控硅倍增| 1KV交五(無線資源管理)| 105A及我(翻譯)
文件頁數: 1/8頁
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代理商: IRKTF101-10FK
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參數描述
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IRKTF180-08HK 功能描述:SCR模塊 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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