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參數資料
| 型號： | IRKTF112-08DM |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|112A I(T) |
| 中文描述： | 晶閘管模塊|可控硅倍增器| 800V的五（無線資源管理）| 112A章吾（翻譯） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | IRKTF112-08DM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF112-08DN | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|112A I(T) |
| IRKTF112-08DP | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|112A I(T) |
| IRKTF112-08EK | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|112A I(T) |
| IRKTF112-08EL | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|112A I(T) |
| IRKTF112-08EM | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|800V V(RRM)|112A I(T) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模塊 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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