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參數資料
型號: IRKTF180-12GJ
英文描述: THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
中文描述: 晶閘管模塊|可控硅倍增| 1.2KV五(無線資源管理)| 180A我(翻譯)
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 339K
代理商: IRKTF180-12GJ
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IRKTF180-12GK THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
IRKTF180-12GP THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
IRKTF180-12HJ 1200V Doubler Circuit Positive Control Inverter Thyristor/Thyristor in a MAGN-A-Pak package
IRKTF180-12HJN THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
IRKTF180-12HK 1200V Doubler Circuit Positive Control Inverter Thyristor/Thyristor in a MAGN-A-Pak package
相關代理商/技術參數
參數描述
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-12HJ 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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