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參數資料
| 型號： | IRKTF180-12HJ |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| 中文描述： | 180甲，磁共振-甲柏功率模塊（180A，12V的，快速可控硅/可控硅?結構磁共振-甲柏功率模塊） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRKTF180-12HJ |
180 A
FAST THYRISTOR/ DIODE and
THYRISTOR/ THYRISTOR
Bulletin I27100 rev. A 10/97
1
IRK.F180.. SERIES
MAGN-A-pak
Power Modules
www.irf.com
Features
Fast turn-off thyristor
Fast recovery diode
High surge capability
Electrically isolated baseplate
3000 V
RMS
isolating voltage
Industrial standard package
UL E78996 approved
Description
These series of MAGN-A-pak modules are intended for
applications such as self-commutated inverters, DC
choppers, electronic welders, induction heating and
others where fast switching characteristics are required.
Parameters
IRK.F180..
Units
I
T(AV)
180
A
@ T
C
85
°C
I
T(RMS)
400
A
I
TSM
@ 50Hz
7130
A
@ 60Hz
7470
A
I
2
t
@ 50Hz
255
KA
2
s
@ 60Hz
232
KA
2
s
I
2
√
t
2550
KA
2
√
s
t
q
20 and 25
μs
t
rr
V
DRM
/ V
RRM
2
μs
up to 1200
V
T
J
range
- 40 to 125
o
C
Major Ratings and Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF180-12HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKTF180-08HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKTF180-08HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKTF180-04HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKTF180-04HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HK | 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HJ | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HK | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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