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參數資料
| 型號： | IRL3714S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 20mohm，身份證\u003d 36A條） |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | IRL3714S |
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
± 20 V
36
31
140
47
33
0.31
-55 to + 175
A
W
W
W/°C
°C
www.irf.com
1
06/19/01
IRL3714
IRL3714S
IRL3714L
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
20m
V
DSS
20V
I
D
36A
Notes
through are on page 11
Absolute Maximum Ratings
D
2
Pak
IRL3714S
TO-220AB
IRL3714
TO-262
IRL3714L
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
3.2
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°
C/W
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD - 94175A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL5NJ024 | LOGIC LEVEL HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| IRL640 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRL8113LPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRL8113PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRL8113SPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRL3714STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL3714STRLPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL3714STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL3714STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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