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參數(shù)資料
型號(hào): IRL640A
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫歐 @ 9A,5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1705pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件
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