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參數(shù)資料
型號: IRL640PBF
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
產(chǎn)品目錄繪圖: IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
標準包裝: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫歐 @ 10A,5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220AB
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: *IRL640PBF
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