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參數(shù)資料
| 型號： | IRL7833L |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFETPower MOSFET |
| 中文描述： | HEXFETPower MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | IRL7833L |
www.irf.com
1
4/22/04
IRL7833
IRL7833S
IRL7833L
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
30V
3.8m
Notes
through are on page 12
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Consumer Use
Benefits
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D
2
Pak
IRL7833S
TO-220AB
IRL7833
TO-262
IRL7833L
Qg
32nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.04
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
°C/W
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Max.
30
150
110
600
140
72
± 20
10 lbf in (1.1N m)
-55 to + 175
0.96
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL7833S | HEXFETPower MOSFET |
| IRL7N1404 | HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
| IRL830S | POWER MOSFET |
| IRL830T | POWER MOSFET |
| IRLBA1304 | Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRL7833LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL7833PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL7833PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 150A, TO-220AB |
| IRL7833S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL7833SPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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