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參數(shù)資料
型號: IRLBD59N04ETRLP
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
標準包裝: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 59A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 35A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2190pF @ 25V
功率 - 最大: 130W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA
供應商設備封裝: TO-263-5
包裝: 帶卷 (TR)
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