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參數資料
| 型號： | IRLC110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）決策支持系統|芯片 |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大小： | 1472K |
| 代理商： | IRLC110 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLC120 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| IRLC130 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| IRLC140 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| IRCC024 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| IRFC014R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLC110B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk |
| IRLC120 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk |
| IRLC140B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk |
| IRLD014 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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