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參數資料
型號: IRLD014
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫歐 @ 1A,5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 4-DIP(0.300",7.62mm)
供應商設備封裝: 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包裝: 管件
其它名稱: *IRLD014
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