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參數資料
型號: IRLHM620TR2PBF
廠商: International Rectifier
文件頁數: 1/9頁
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描述: MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
產品目錄繪圖: IR Hexfet PQFN
標準包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 26A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 毫歐 @ 20A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 78nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3620pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VQFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: PQFN(3x3)
包裝: 標準包裝
其它名稱: IRLHM620TR2PBFDKR
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