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參數資料
型號: IRLI3705NPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 1371K
代理商: IRLI3705NPBF
www.irf.com
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IRLI3705NPbF
相關PDF資料
PDF描述
IRLI3803PBF HEXFET Power MOSFET
IRLI520NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLI530GPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16ヘ , ID=9.7A )
IRLI530NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLI540N HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRLI3803 功能描述:MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLI3803PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI510A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLI510ATU 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI520 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET
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