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參數資料
型號: IRLI640GPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 1384K
代理商: IRLI640GPBF
www.irf.com
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IRLI640GPbF
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PDF描述
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參數描述
IRLIB4343 功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLIB4343PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 ISOL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, TO-220 ISOL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, TO-220 ISOL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:39W;;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 19A TO220FP
IRLIB9343 功能描述:MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLIB9343PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLIZ14A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA
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