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參數(shù)資料
型號: IRLM120ATF
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 220 毫歐 @ 1.15A,5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223-3
包裝: 帶卷 (TR)
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