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參數(shù)資料
型號: IRLML6302TR
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 780mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫歐 @ 610mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 97pF @ 15V
功率 - 最大: 540mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: Micro3?/SOT-23
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: *IRLML6302TR
IRLML6302
IRLML6302-ND
IRLML6302CT
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