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參數(shù)資料
型號(hào): IRLML6401TR
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
產(chǎn)品變化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 830pF @ 10V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: Micro3?/SOT-23
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: *IRLML6401TR
IRLML6401
IRLML6401-ND
IRLML6401CT
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