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參數(shù)資料
型號(hào): IRLR7811W
廠商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大小: 103K
代理商: IRLR7811W
www.irf.com
1
06/10/02
IRLR7811W
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
30V
R
DS(on)
max
10.5m
Q
g
19nC
Parameter
Max.
64
45
260
71
1.5
0.48
±
12
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation*
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V
GS
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 9
D-Pak
PD - 94492
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
2.1
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
Benefits
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR7821 HEXFET Power MOSFET
IRLU7821 HEXFET Power MOSFET
IRLR7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLU7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLR7833 Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7811WCPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WCTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRLR7811WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN DPAK - Bulk
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