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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLR8503PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | IRLR8503PBF |
www.irf.com
1
12/06/04
IRLR8503PbF
IRLR8503PbF
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain or Source
Current (V
GS
≥
10V)
Symbol IRLR8503
V
DS
V
GS
I
D
44
32
Units
V
30
±20
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
A
Pulsed Drain Current
I
DM
P
D
196
Power Dissipation
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
62
W
30
Junction & Storage Temperature Range
T
J
,
T
STG
I
S
I
SM
–55 to 150
°C
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed source Current
15
A
196
N-Channel Application-Specific MOSFET
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Low Conduction Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high current
applications
Lead-Free
Description
This new device employs advanced HEXFET Power
MOSFET technology to achieve very low on-resistance.
The reduced conduction losses makes it ideal for high
efficiency DC-DC converters that power the latest
generation of microprocessors.
The IRLR8503 has been optimized and is 100% tested for
all parameters that are critical in synchronous buck
converters including R
, gate charge and Cdv/dt-
induced turn-on immunity. The IRLR8503 offers an
extremely low combination of Q
sw
& R
DS(on)
for reduced
losses in control FET applications.
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB
mount application.
HEXFET
MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8503PbF
V
DS
R
DS
(on)
Q
G
Q
sw
Q
oss
30V
18 m
20 nC
8 nC
29.5 nC
DEVICE RATINGS (MAX. Values)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient
R
θ
JA
R
θ
JL
50
°C/W
Maximum Junction-to-Lead
2.0
°C/W
Thermal Resistance
S
D
G
PD- 95095A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR8503 | HEXFET MOSFET for DC-DC Converters |
| IRLR8713PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU8713PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR8743PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRLU8743PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLR8503TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR8503TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR8503TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR8503TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR8503TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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