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參數資料
型號: IRLR8503TRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數: 1/9頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
產品目錄繪圖: IR Hexfet DPak
標準包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 44A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1650pF @ 25V
功率 - 最大: 62W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: D-Pak
包裝: 標準包裝
其它名稱: IRLR8503PBFDKR
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