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參數資料
| 型號： | IRLZ34NL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | IRLZ34NL |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
Logic level TrenchMOS
TM
transistor
IRLZ34N
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 17 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
6
8
10
0
20
40
60
80
100
10
7
VGS = 6.0 V
5.6
5.0
4.6
4.0
3.6
3.0
Drain current, ID (A)
Drain4
0
10
20
40
50
60
70
5
10
15
20
25
30Transconductance, gfs (S)
Dr30
0
10
20
30
40
50
60
25
30
35
40
45RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
1
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
70
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK959-60
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
February 1999
4
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLZ34 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLZ34NS | HEXFET Power MOSFET |
| IRM3000 | Optoelectronic |
| IRM3001 | Optoelectronic |
| IRM3002 | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLZ34NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLZ34NS | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLZ34NSL | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET |
| IRLZ34NSPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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