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參數資料
| 型號： | IRLZ34NSPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.035ヘ，身份證\u003d 30A條） |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IRLZ34NSPBF |
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRLZ34NSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRLZ34NSTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRLZ34NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLZ34NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLZ34PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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